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STB13007DT4
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 80 W, 8 A, 18 RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB13007DT4
No. Parte Newark06X0848
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.080 |
| 10+ | $1.450 |
| 100+ | $1.070 |
| 500+ | $1.010 |
| 1000+ | $0.973 |
| 3000+ | $0.934 |
| 5000+ | $0.923 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB13007DT4
No. Parte Newark06X0848
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor400V
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua8A
Disipación de Potencia80W
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia de Corriente DC hFE0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.18hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
400V
Corriente del Colector Continua
8A
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
18hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
80W
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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