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SCT070H120G3AG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark12AM9887
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $12.570 |
| 10+ | $8.780 |
| 25+ | $8.360 |
| 50+ | $7.960 |
| 100+ | $7.550 |
| 250+ | $7.390 |
| 500+ | $7.210 |
| 1000+ | $7.050 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT070H120G3AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark12AM9887
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.087
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia223
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.087
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
223
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto