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SCT070H120G3-7
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT070H120G3-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante75 semanas
No. Parte Newark14AM7986
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.960 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.96
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT070H120G3-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante75 semanas
No. Parte Newark14AM7986
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.087
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia223
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.087
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
223
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto