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SCT040W65G3AG
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 30A, HIP247 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT040W65G3AG
No. Parte Newark49AM4724
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $13.240 |
| 10+ | $12.230 |
| 25+ | $11.400 |
| 60+ | $10.820 |
| 120+ | $10.300 |
| 270+ | $9.130 |
| 510+ | $8.930 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT040W65G3AG
No. Parte Newark49AM4724
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id30A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.063ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia240W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.063ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
240W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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