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SCT040HU120G3AG
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 40A, HU3PAK-7 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT040HU120G3AG
No. Parte Newark22AM0336
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $17.050 |
| 10+ | $13.650 |
| 25+ | $13.400 |
| 50+ | $13.160 |
| 100+ | $12.920 |
| 250+ | $12.270 |
| 500+ | $11.620 |
| 1200+ | $10.970 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT040HU120G3AG
No. Parte Newark22AM0336
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id40A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.049ohm
Diseño de TransistorHU3PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia300W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.049ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
HU3PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
300W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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