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MJD122T4
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 5 A, 1000 RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark07X1933
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.287 |
| 5000+ | $0.269 |
| 10000+ | $0.251 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$717.50
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark07X1933
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Corriente del Colector Continua0
Disipación de Potencia0
Diseño de Transistor0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición0
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Disipación de Potencia
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
0
Diseño de Transistor
0
Frecuencia de Transición
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza MJD122T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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