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MJD112T4
Transistor Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.020 |
| 10+ | $0.636 |
| 100+ | $0.415 |
| 500+ | $0.319 |
| 1000+ | $0.289 |
| 2500+ | $0.255 |
| 10000+ | $0.205 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark06X0511
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100
Corriente del Colector Continua0
Disipación de Potencia Pd20
Corriente de Colector DC2
Disipación de Potencia0
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
Diseño de Transistor0
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE200
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Frecuencia de Transición0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100
Disipación de Potencia Pd
20
Disipación de Potencia
0
Diseño de Transistor
0
Ganancia de Corriente DC hFE
200
Frecuencia de Transición
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Corriente del Colector Continua
0
Corriente de Colector DC
2
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MJD112T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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