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IRF630
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 9 A, 400 mohm, TO-220, Agujero Pasante
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| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF630Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 72K7167 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.964 |
| 10+ | $0.826 |
| 100+ | $0.634 |
| 500+ | $0.561 |
| 1000+ | $0.488 |
| 2500+ | $0.397 |
| 10000+ | $0.384 |
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Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF630Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 72K7167 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 200 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 9 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 400 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 100 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (21-Jan-2025) |
Resumen del producto
The IRF630 from STMicroelectronics is a through hole, 200V N channel mesh overlay II power MOSFET in TO-220 package. This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout based MESH OVERLAY process which matches and improves the performances. Features extremely high dv/dt capability, very low intrinsic capacitances and gate charge minimized.
- Drain to source voltage (Vds) is 200V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) is 9A
- Power dissipation (Pd) is 75W
- Operating junction temperature range from -65°C to 150°C
- Gate threshold voltage of 3V
- Low on state resistance of 350mohm at Vgs 10V
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 200 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 400 |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 9 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 100 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (21-Jan-2025) |
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF630
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (21-Jan-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |