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BU508AW
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 700 V, 8 A, 125 W, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBU508AW
No. Parte Newark33X4089
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.240 |
| 10+ | $3.410 |
| 120+ | $2.520 |
| 510+ | $2.130 |
| 1020+ | $1.840 |
| 2520+ | $1.690 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBU508AW
No. Parte Newark33X4089
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor700
Corriente del Colector Continua8
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia125
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-247
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.5
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BU508AW is a 700V High Voltage NPN Power Transistor for standard definition CRT display. It is manufactured using diffused collector in planar technology adopting new and enhanced high voltage structure for updated performance to the horizontal deflection stage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- State-of-the-art technology - Diffused collector enhanced generation
- Stable performances versus operating temperature variation
- Low base-drive requirement
- Tight hFE range at operating collector current
- High ruggedness
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
700
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
5
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
8
Disipación de Potencia
125
Diseño de Transistor
TO-247
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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