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BD679A
TRANS, NPN, 80V, 4A, 150DEG C, 40W
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBD679A
No. Parte Newark33X4084
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Frecuencia de Transición-
Corriente del Colector Continua4A
Disipación de Potencia Pd40
Disipación de Potencia40W
Corriente de Colector DC4
Encapsulado de Transistor RFSOT-32
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-32
Ganancia de Corriente DC hFE750
Montaje de TransistorThrough Hole
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.750hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BD679A is a NPN complementary power Darlington Transistor manufactured in Planar Base Island technology. It offers monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Corriente del Colector Continua
4A
Disipación de Potencia
40W
Encapsulado de Transistor RF
SOT-32
Diseño de Transistor
SOT-32
Montaje de Transistor
Through Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
750hFE
Calificación
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia Pd
40
Corriente de Colector DC
4
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
750
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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