Imprimir página
A2U8M12W3-FC
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 180A, ACEPACK 2 ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteA2U8M12W3-FC
No. Parte Newark12AM6153
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $170.360 |
| 5+ | $165.080 |
| 10+ | $159.780 |
| 36+ | $154.500 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$170.36
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteA2U8M12W3-FC
No. Parte Newark12AM6153
Configuración de Módulo MOSFETThreePack
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id180A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0125ohm
Diseño de TransistorACEPACK 2
No. de Pines36Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
ThreePack
Intensidad Drenador Continua Id
180A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0125ohm
No. de Pines
36Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
ACEPACK 2
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto