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A1F25M12W2-F1
MOSFET de carburo de silicio, Paquete Cuádruple, Cuatro Canales N, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteA1F25M12W2-F1
No. Parte Newark79AK4324
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteA1F25M12W2-F1
No. Parte Newark79AK4324
Configuración de Módulo MOSFETFourPack
Tipo de CanalFour N Channel
Intensidad Drenador Continua Id50A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025ohm
Diseño de TransistorACEPACK 1
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.9V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
FourPack
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025ohm
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.9V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Four N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
ACEPACK 1
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto