Imprimir página
GD600HFY120C2S
Módulo IGBT, Medio Puente, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Module
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD600HFY120C2SCopiar
No. Parte Newark93AC7048
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $159.120 |
| 5+ | $156.760 |
| 10+ | $154.470 |
| 36+ | $145.200 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$159.12
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD600HFY120C2SCopiar
No. Parte Newark93AC7048
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua1
Corriente de Colector DC1kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2
Disipación de Potencia Pd3.409kW
Disipación de Potencia3.409
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
No. de Pines11Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente del Colector Continua
1
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2V
Disipación de Potencia Pd
3.409kW
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
1kA
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2
Disipación de Potencia
3.409
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Diseño de Transistor
Module
No. de Pines
11Pines
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto