UCLAMP0501P.TCT

Diodo TVS, Serie µClamp, Unidireccional, 5 V, 12.5 V, SLP1006P2, 2 Pines

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SEMTECH UCLAMP0501P.TCT
FabricanteSEMTECH
No. Parte FabricanteUCLAMP0501P.TCT
No. Parte Newark37K8489
Rango de ProductoSerie µClamp
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Información del producto

FabricanteSEMTECH
No. Parte FabricanteUCLAMP0501P.TCT
No. Parte Newark37K8489
Rango de ProductoSerie µClamp
Hoja de datos técnicos
Rango de ProductoSerie µClamp
Polaridad TVSUnidireccional
Voltaje de Separación Reverso5
Voltaje de Bloqueo Máx.12.5
Estilo de la Carcasa del DiodoSLP1006P2
No. de Pines2Pines
Voltaje de Ruptura Mínimo6
Voltaje de Ruptura Máximo6
Disipación de Potencia Máxima de Impulso200
Temperatura de Trabajo Máx.125
Montaje del DiodoSurface Mount
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)

Resumen del producto

The µClamp series low voltage TVS Diode for ESD and CDE protection. It is designed to replace multilayer varistors (MLVs) in portable applications such as cell phones, notebook computers and PDAs. It offers superior electrical characteristics such as lower clamping voltage and no device degradation when compared to MLVs. The device is designed to protect sensitive semiconductor components from damage or upset due to electrostatic discharge (ESD), lightning, electrical fast transients (EFT) and cable discharge events (CDE). The device is constructed using Semtech's proprietary EPD process technology. The EPD process provides low standoff voltages with significant reductions in leakage currents and capacitance over silicon avalanche diode processes. It features a true operating voltage of 3.3V for superior protection when compared to traditional PN junction devices. It gives the designer the flexibility to protect one line in applications where arrays are not practical.

  • Protects one data line
  • Low clamping voltage
  • Low leakage current
  • Solid-state silicon-avalanche technology
  • -55 to 125°C Operating temperature range

Especificaciones técnicas

Rango de Producto

Serie µClamp

Voltaje de Separación Reverso

5

Estilo de la Carcasa del Diodo

SLP1006P2

Voltaje de Ruptura Mínimo

6

Disipación de Potencia Máxima de Impulso

200

Montaje del Diodo

Surface Mount

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (15-Jan-2019)

Polaridad TVS

Unidireccional

Voltaje de Bloqueo Máx.

12.5

No. de Pines

2Pines

Voltaje de Ruptura Máximo

6

Temperatura de Trabajo Máx.

125

Calificación

-

Documentos técnicos (1)

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Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
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