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SKM 400 GB 128 D
Módulo IGBT, 520 A, 2.35 V, 150 °C, SEMITRANS 3
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM 400 GB 128 D
No. Parte Newark88K1992
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBT-
Corriente de Colector DC520A
Corriente del Colector Continua520A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.35V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorSEMITRANS 3
No. de Pines7Pines
Terminación del IGBTPerno
Tecnología IGBT-
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente de Colector DC
520A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.35V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
No. de Pines
7Pines
Tecnología IGBT
-
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración IGBT
-
Corriente del Colector Continua
520A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Diseño de Transistor
SEMITRANS 3
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto