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SKM 150 GB 124 D
Módulo IGBT, 190 A, 2.45 V, SEMITRANS 3
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM 150 GB 124 DCopiar
No. Parte Newark91H1913
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM 150 GB 124 DCopiar
No. Parte Newark91H1913
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBT-
Transistor, PolaridadCanal N
Corriente de Colector DC190A
Corriente del Colector Continua190A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.45V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.45V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.-
Temperatura de Union, Tj Máx.-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorSEMITRANS 3
No. de Pines7Pines
Terminación del IGBTPerno
Tecnología IGBT-
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
-
Corriente de Colector DC
190A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.45V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
No. de Pines
7Pines
Tecnología IGBT
-
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
190A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.45V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
-
Diseño de Transistor
SEMITRANS 3
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto