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SKHI 10/12 R
IGBT MODULE, 1.2KV, THROUGH HOLE
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKHI 10/12 R
No. Parte Newark55X3130
Rango de ProductoSEMIDRIVER Series
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKHI 10/12 R
No. Parte Newark55X3130
Rango de ProductoSEMIDRIVER Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSingle
Corriente del Colector Continua-
Voltaje de Saturación Colector Emisor-
Disipación de Potencia-
Tipo de Controlador0
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Diseño de Transistor-
Terminación del IGBTSolder
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoSEMIDRIVER Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Single
Voltaje de Saturación Colector Emisor
-
Tipo de Controlador
0
Diseño de Transistor
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Corriente del Colector Continua
-
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Terminación del IGBT
Solder
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
SEMIDRIVER Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto