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SK 150 GB 066 T
Módulo IGBT, Medio Puente, 124 A, 600 V, 175 °C
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSK 150 GB 066 T
No. Parte Newark77R2190
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 10+ | $128.360 |
Precio para:Cada
Mínimo: 10
Múltiple: 10
$1,283.60
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSK 150 GB 066 T
No. Parte Newark77R2190
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente de Colector DC124A
Corriente del Colector Continua124A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)600V
Voltaje de Saturación Colector Emisor600V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo800mV
Diseño de Transistor-
Terminación del IGBTEncaje a Presión
No. de Pines28Pines
Tecnología IGBTIGBT 3 [Zanja]
Voltaje Máx. Colector a Emisor800mV
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente del Colector Continua
124A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
600V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Diseño de Transistor
-
No. de Pines
28Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
800mV
Rango de Producto
-
Corriente de Colector DC
124A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
600V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
800mV
Terminación del IGBT
Encaje a Presión
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Zanja]
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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