SP8K2HZGTB

MOSFET, DUAL, N-CH, 30V, 6A, SOP ROHS COMPLIANT: YES

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ROHM SP8K2HZGTB
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSP8K2HZGTB
No. Parte Newark59AJ2258
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Información del producto

FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSP8K2HZGTB
No. Parte Newark59AJ2258
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.03ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)

Especificaciones técnicas

Tipo de Canal

N Channel

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

0

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P

30V

Corriente de Drenaje Continua Id Canal P

6A

Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente

-

No. de Pines

8Pines

Disipación de Potencia de Canal P

2W

Rango de Producto

-

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (23-Jan-2024)

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N

30V

Intensidad Drenador Continua Id

0

Corriente de Drenaje Continua Id Canal N

6A

Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente

0.03ohm

Diseño de Transistor

SOP

Disipación de Potencia de Canal N

2W

Temperatura de Trabajo Máx.

150°C

Calificación

AEC-Q101

Documentos técnicos (1)

Legislación y medioambiente

US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidad del producto

Trazabilidad del producto

Fecha y lote