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RYM002N05T2CL
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRYM002N05T2CL
No. Parte Newark78AC6458
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6
Diseño de TransistorSOT-723
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-723
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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