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RYC002N05T316
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 200 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
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| 10+ | $0.248 |
| 25+ | $0.217 |
| 50+ | $0.187 |
| 100+ | $0.156 |
| 250+ | $0.136 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRYC002N05T316
No. Parte Newark10AC9000
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.2
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza RYC002N05T316
8 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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