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SNXH800H120L7QDSG
IGBT MODULE, 1.2KV, 800A, PIM
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSNXH800H120L7QDSG
No. Parte Newark49AM1457
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua800A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.65V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorPIM
Terminación del IGBTSolder Pin
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 7 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.65V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Solder Pin
Tecnología IGBT
IGBT 7 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
800A
Disipación de Potencia
-
Diseño de Transistor
PIM
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto