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SMP3003-DL-1E
MOSFET de Potencia, Canal P, 75 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSMP3003-DL-1E
No. Parte Newark97Y9503
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.0062ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0062
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd90W
Voltaje de Prueba Rds(on)-10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia90
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0062ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
90W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0062
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
-10
Disipación de Potencia
90
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto