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NXH450B100H4Q2F2SG
Módulo IGBT, Doble, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH450B100H4Q2F2SG
No. Parte Newark29AK2768
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH450B100H4Q2F2SG
No. Parte Newark29AK2768
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración IGBTDual
Corriente del Colector Continua101A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7V
Disipación de Potencia234W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTSolder
Voltaje Máx. Colector a Emisor1kV
Tecnología IGBTIGBT [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Solder
Tecnología IGBT
IGBT [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
EliteSiC Series
Corriente del Colector Continua
101A
Disipación de Potencia
234W
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto