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NXH020P120MNF1PTG
MOSFET SIC CANAL N, 1.2KV, 51A, MÃDULO
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH020P120MNF1PTGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark32AK9490
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH020P120MNF1PTGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark32AK9490
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id51A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines18Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.81V
Disipación de Potencia119W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
51A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
No. de Pines
18Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.81V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
119W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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