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NXH006P120MNF2PTG
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Canal N, 304 A, 1.2 kV, 0.00548 ohm, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH006P120MNF2PTGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark81AJ0364
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $223.200 |
| 5+ | $215.490 |
| 10+ | $207.770 |
| 40+ | $200.060 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH006P120MNF2PTGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark81AJ0364
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id304
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00548
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.83
Disipación de Potencia950
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Intensidad Drenador Continua Id
304
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00548
No. de Pines
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.83
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
950
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NXH006P120MNF2PTG
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto