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NVMFWS4D0N04XMT1G
MOSFET, N-CH, 40V, 80A, WFDFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFWS4D0N04XMT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark51AM2194
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.917 |
| 10+ | $0.593 |
| 25+ | $0.558 |
| 50+ | $0.522 |
| 100+ | $0.487 |
| 250+ | $0.477 |
| 500+ | $0.467 |
| 1000+ | $0.453 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFWS4D0N04XMT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark51AM2194
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3900µohm
Diseño de TransistorWFDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia43W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Diseño de Transistor
WFDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
43W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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