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NVMFS6H801NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 157 A, 0.0028 ohm, DFN, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS6H801NT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark65AC5192
Su número de pieza
43,500 En Inventario
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1500+ | $1.320 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 1500
Múltiple: 1500
$1,980.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS6H801NT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark65AC5192
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id157
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0028
Resistencia de Activación Rds(on)0.0023ohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia166
Disipación de Potencia Pd166W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
- MOSFET de potencia de canal N único
- Tamaño reducido para un diseño compacto
- RDS bajo (activado) para minimizar las pérdidas de conducción
- Bajo Qg y capacitancia para minimizar las pérdidas del conductor.
- Calificado para AEC-Q101 y capacidad para PPAP
- Inspección óptica mejorada
- Las aplicaciones son fuentes de alimentación conmutadas, interruptores de alimentación y sistemas de 48V
- Control de motor, convertidor CD/CD, interruptor de carga son productos finales
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0028
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
166
No. de Pines
5Pines
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
157
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0023ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
166W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NVMFS6H801NT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
