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NVMFS6H800NLT1G
MOSFET'S - SINGLE
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS6H800NLT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark16AM8943
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1500+ | $2.260 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 1500
Múltiple: 1500
$3,390.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS6H800NLT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark16AM8943
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id224A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1900µohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia214W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
224A
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
214W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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