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NVMFS5C442NLET1G-YE
MOSFET, N-CHANNEL, 40V, 130A, DFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS5C442NLET1G-YECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark11AN7198
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.700 |
| 50+ | $1.080 |
| 100+ | $0.718 |
| 250+ | $0.642 |
| 500+ | $0.565 |
| 1000+ | $0.554 |
| 2500+ | $0.542 |
| 5000+ | $0.531 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.70
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS5C442NLET1G-YECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark11AN7198
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id130A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0025ohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia83W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
130A
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0025ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto