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NVMFS5A160PLZWFT1G
MOSFET, P-CH, 60V, 100A, 175DEG C, 200W
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS5A160PLZWFT1GCopiar
No. Parte Newark62AC7374
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS5A160PLZWFT1GCopiar
No. Parte Newark62AC7374
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7700µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0058ohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia200
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7700µohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia Pd
200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0058ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto