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NVMFS4C05NWFET1G
MOSFET, N-CH, 30V, 127A, WFDFN-4
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS4C05NWFET1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)11AN7188RL
Cinta adhesiva11AN7188
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.960 | $1.96 |
| Total Precio | $1.96 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.960 |
| 50+ | $0.937 |
| 100+ | $0.837 |
| 250+ | $0.749 |
| 500+ | $0.661 |
| 1000+ | $0.648 |
| 2500+ | $0.635 |
| 5000+ | $0.621 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS4C05NWFET1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)11AN7188RL
Cinta adhesiva11AN7188
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id127A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0028ohm
Diseño de TransistorWFDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia79W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
127A
Diseño de Transistor
WFDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
79W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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