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NVMFS040N10MCLT1G
MOSFET, N-CH, 100V, 21A, DFN-5 ROHS COMPLIANT: YES
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758 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.080 |
| 10+ | $0.751 |
| 25+ | $0.680 |
| 50+ | $0.608 |
| 100+ | $0.537 |
| 250+ | $0.493 |
| 500+ | $0.449 |
| 1000+ | $0.440 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS040N10MCLT1G
No. Parte Newark81AK4260
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id21A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.038ohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia36W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
21A
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
36W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.038ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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