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NVMFD027N10MCLT1G
MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 28A, DFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFD027N10MCLT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark86AK7638
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713 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.070 |
| 10+ | $1.330 |
| 25+ | $1.180 |
| 50+ | $1.040 |
| 100+ | $0.895 |
| 250+ | $0.803 |
| 500+ | $0.712 |
| 1000+ | $0.681 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.07
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFD027N10MCLT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark86AK7638
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N28A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.026ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorDFN
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N46W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
28A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.026ohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia de Canal N
46W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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