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NVJS3151PT1G
MOSFET, P CHANNEL, 12V, 2.7A, SC-88
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVJS3151PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark11AN7184
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 31 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.659 |
| 10+ | $0.421 |
| 15+ | $0.386 |
| 25+ | $0.352 |
| 50+ | $0.317 |
| 125+ | $0.283 |
| 250+ | $0.253 |
| 500+ | $0.223 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$3.30
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVJS3151PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark11AN7184
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id2.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Diseño de TransistorSC-88
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia625mW
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.7A
Diseño de Transistor
SC-88
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
625mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto