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NVJD5121NT2G
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.295A, SC-88 ROHS COMPLIANT: YES
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVJD5121NT2G
No. Parte Newark86AK5875
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N295mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1.6ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSC-88
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N250mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
295mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1.6ohm
Diseño de Transistor
SC-88
Disipación de Potencia de Canal N
250mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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