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NVBLS1D5N10MCTXG
MOSFET, N-CH, 100V, 300A, H-PSOF ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.850 |
| 10+ | $5.370 |
| 25+ | $4.940 |
| 50+ | $4.510 |
| 100+ | $4.090 |
| 250+ | $4.000 |
| 500+ | $3.910 |
| 1000+ | $3.820 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBLS1D5N10MCTXG
No. Parte Newark86AK7637
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id300A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1500µohm
Diseño de TransistorH-PSOF
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia331W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300A
Diseño de Transistor
H-PSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
331W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1500µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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