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NVBG095N65S3F
MOSFET, N-CH, 650V, 36A, TO-263HV ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG095N65S3F
No. Parte Newark86AK5868
Rango de ProductoSUPERFET III Series
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| Cantidad | Precio |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG095N65S3F
No. Parte Newark86AK5868
Rango de ProductoSUPERFET III Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id36A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.095ohm
Diseño de TransistorTO-263HV (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia272W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSUPERFET III Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Diseño de Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
272W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.095ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
SUPERFET III Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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