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NTZS3151PT1G
MOSFET, P CH, -20V, -0.86A, SOT-563-6
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZS3151PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5866
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7064RL
Cinta adhesiva81Y7064
Su número de pieza
2,274 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.443 | $2.22 |
| Total Precio | $2.22 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.443 |
| 10+ | $0.280 |
| 15+ | $0.256 |
| 25+ | $0.232 |
| 50+ | $0.208 |
| 125+ | $0.185 |
| 250+ | $0.165 |
| 500+ | $0.144 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.107 |
| 8000+ | $0.099 |
| 12000+ | $0.097 |
| 20000+ | $0.095 |
| 40000+ | $0.093 |
| 100000+ | $0.091 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZS3151PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5866
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7064RL
Cinta adhesiva81Y7064
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id860mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.15ohm
Diseño de TransistorSOT-563
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia210mW
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
860mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.15ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
210mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTZS3151PT1G
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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