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NTZD3155CT1G
Dual MOSFET, N and P Channel, 540 mA, 20
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3155CT1GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo45J2183
Re-reeling (Rollos a medida)94T5893
Cinta adhesiva94T5893
Su número de pieza
162,453 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.363 | $1.82 |
| Total Precio | $1.82 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.363 |
| 25+ | $0.297 |
| 100+ | $0.191 |
| 500+ | $0.158 |
| 1000+ | $0.124 |
| 2500+ | $0.118 |
| 10000+ | $0.113 |
| 25000+ | $0.111 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.164 |
| 6000+ | $0.148 |
| 12000+ | $0.135 |
| 18000+ | $0.127 |
| 30000+ | $0.118 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3155CT1GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo45J2183
Re-reeling (Rollos a medida)94T5893
Cinta adhesiva94T5893
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N540
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P540
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.4ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.4
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N250
Disipación de Potencia de Canal P250
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
540
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.4
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
250
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
540
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.4ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTZD3155CT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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