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NTTFSSCH4D0N08XLTWG
MOSFET, N-CH, 80V, 107A, WDFN ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 31 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.130 |
| 10+ | $1.870 |
| 25+ | $1.710 |
| 50+ | $1.580 |
| 100+ | $1.370 |
| 250+ | $1.240 |
| 500+ | $1.110 |
| 1000+ | $1.080 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.13
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFSSCH4D0N08XLTWG
No. Parte Newark06AN0863
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id107A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0036ohm
Diseño de TransistorWDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia102W
No. de Pines9Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
107A
Diseño de Transistor
WDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
102W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0036ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
No. de Pines
9Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto