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NTTFSS1D1N02P1E
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 264A, WDFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFSS1D1N02P1ECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark11AN7142
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $3.110 |
| 50+ | $2.010 |
| 100+ | $1.390 |
| 250+ | $1.260 |
| 500+ | $1.120 |
| 1000+ | $1.080 |
| 2500+ | $1.060 |
| 5000+ | $1.040 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$15.55
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFSS1D1N02P1ECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark11AN7142
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id264A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente850µohm
Diseño de TransistorWDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia89W
No. de Pines9Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
264A
Diseño de Transistor
WDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
89W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
850µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
9Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto