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NTP6410ANG
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 76 A, 11 mohm, TO-220, Agujero Pasante
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $2.070 |
| 250+ | $1.930 |
| 500+ | $1.770 |
Precio para:Cada
Mínimo: 150
Múltiple: 50
$310.50
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTP6410ANGCopiar
No. Parte Newark71R6722
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id76
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Resistencia de Activación Rds(on)0.011ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd188W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia188
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
76
Resistencia de Activación Rds(on)
0.011ohm
Disipación de Potencia Pd
188W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
188
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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