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NTMYS003N08LHTWG
MOSFET, N-CH, 80V, 132A, LFPAK
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMYS003N08LHTWGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)86AK5845RL
Cinta adhesiva86AK5845
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.180 | $4.18 |
| Total Precio | $4.18 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.180 |
| 50+ | $2.170 |
| 100+ | $1.970 |
| 250+ | $1.820 |
| 500+ | $1.660 |
| 1000+ | $1.630 |
| 2500+ | $1.590 |
| 5000+ | $1.560 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMYS003N08LHTWGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)86AK5845RL
Cinta adhesiva86AK5845
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id132A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3300µohm
Diseño de TransistorLFPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia137W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
132A
Diseño de Transistor
LFPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
137W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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