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NTMTSC002N10MCTXG
MOSFET, CANAL N, 100V, 236A, 175°C, 255W
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMTSC002N10MCTXGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark86AK5844
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $2.860 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$8,580.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMTSC002N10MCTXGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark86AK5844
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id236A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1700µohm
Diseño de TransistorDFNW
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia255W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
236A
Diseño de Transistor
DFNW
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
255W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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