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NTMJS0D7N03CGTWG
MOSFET, N-CH, 30V, 410A, LFPAK ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 59 semanas
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.410 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMJS0D7N03CGTWG
No. Parte Newark81AK4246
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id410A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente550µohm
Diseño de TransistorLFPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia188W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
410A
Diseño de Transistor
LFPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
188W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
550µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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