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NTMFS4D7N04XMT1G
MOSFET, N-CH, 40V, 66A, DFN ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 28 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.030 |
| 10+ | $0.677 |
| 25+ | $0.608 |
| 50+ | $0.538 |
| 100+ | $0.469 |
| 250+ | $0.425 |
| 500+ | $0.380 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS4D7N04XMT1G
No. Parte Newark49AM1337
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id66A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4700µohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia38W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
66A
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
38W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Trazabilidad del producto