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NTMFS4C09NT1G
MOSFET Transistor, N Channel, 52 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.1 V RoHS Compliant: Yes
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672 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.700 |
| 10+ | $0.431 |
| 25+ | $0.379 |
| 50+ | $0.328 |
| 100+ | $0.276 |
| 250+ | $0.243 |
| 500+ | $0.209 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS4C09NT1GCopiar
No. Parte Newark51Y5000
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id52A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5800µohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia25.5W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
52A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
25.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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