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NTMFS2D3N04XMT1G
MOSFET, N-CHANNEL, 40V, 111A, DFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS2D3N04XMT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97AK7418RL
Cinta adhesiva97AK7418
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.920 | $1.92 |
| Total Precio | $1.92 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.920 |
| 50+ | $0.992 |
| 100+ | $0.902 |
| 250+ | $0.823 |
| 500+ | $0.743 |
| 1000+ | $0.728 |
| 2500+ | $0.713 |
| 5000+ | $0.698 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS2D3N04XMT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97AK7418RL
Cinta adhesiva97AK7418
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id111A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2350µohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia53W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
111A
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
53W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2350µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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