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NTMFS1D3N04XMT1G
MOSFET, N-CHANNEL, 40V, 195A, DFN ROHS COMPLIANT: YES
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1,320 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.140 |
| 10+ | $1.780 |
| 25+ | $1.620 |
| 50+ | $1.470 |
| 100+ | $1.320 |
| 250+ | $1.200 |
| 500+ | $1.080 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS1D3N04XMT1G
No. Parte Newark01AM0290
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id195A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1300µohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia90W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
195A
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
90W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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